TAODAN 10 transistores IRF3205 MOSFET componentes electrónicos 110A 55V N-Channel Power MOSFET TO-220AB

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Polaridad del transistor: canal N., Corriente de drenaje (Id Max): 110 A., Voltaje Vds máx.: 55 V., Potencia (máx.): 200 W., BOJACK IRF3205 MOSFET es un transistor de efecto de campo que se puede utilizar ampliamente en circuitos analógicos y circuitos digitales.

Descripción
El MOSFET RF3205 es un transistor de efecto de campo que se puede utilizar en una amplia gama de circuitos analógicos y digitales. Parámetros básicos: El IRF3205 está disponible en un paquete TO-220AB. Resistencia en resistencia: 0.008 ohmios. Voltaje Vgs Max: +-20 V. Número de pines: 3 Temperatura de funcionamiento: -55 a +347.0 °F; unión de resistencia térmica de la caja A: 34.3 °F/W Voltaje Vds típico: 55 V. ID de corriente continua: pulso IDM de corriente de 110 A: 390 A. Dispositivos de montaje en superficie: montaje de agujero pasante.
Características
Polaridad del transistor: canal N. Corriente de drenaje (Id Max): 110 A. Voltaje Vds máx.: 55 V. Potencia (máx.): 200 W. BOJACK IRF3205 MOSFET es un transistor de efecto de campo que se puede utilizar ampliamente en circuitos analógicos y circuitos digitales.
Peso
1.20 Onzas
Dimensiones
4.8 x 2.87 x 0.35 pulgadas
Fabricante es TAODAN
Destacados
Polaridad del transistor: canal N., Corriente de drenaje (Id Max): 110 A., Voltaje Vds máx.: 55 V., Potencia (máx.): 200 W., BOJACK IRF3205 MOSFET es un transistor de efecto de campo que se puede utilizar ampliamente en circuitos analógicos y circuitos digitales.
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