NTE Electronics Transistor complementario del germanio NTE103 NPN para el conductor de salida de poder, corriente continua del colector 0.15A,

Name: NTE Electronics Transistor complementario del germanio NTE103 NPN para el conductor de salida de poder, corriente continua del colector 0.15A,
SKU: B0002FRSZS
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Voltaje de saturación colector-emisor bajo 200mV, Voltaje de ruptura de alta base de emisor de 12 V, corriente continua del colector 150mA, Corriente del emisor 100mA

SKU: B0002FRSZS Categoría: Transistores BJT

Descripción

Descripción
Los transistores complementarios NPN Germanio están diseñados para aplicaciones de conmutación saturada de velocidad media.
Características
Voltaje de saturación colector-emisor bajo 200mV Voltaje de ruptura de alta base de emisor de 12 V corriente continua del colector 150mA Corriente del emisor 100mA
El número de Modelo (ItemModelNumber)
NTE103
Peso
0.48 Onzas
Dimensiones
3,7 x 0,98 x 0,51 pulgadas
Fabricante es NTE Electronics, Inc.
Destacados
Voltaje de saturación colector-emisor bajo 200mV, Voltaje de ruptura de alta base de emisor de 12 V, corriente continua del colector 150mA, Corriente del emisor 100mA
El País de Origen (COO, siglas en inglés) o fabricación del producto NTE Electronics Transistor complementario del germanio NTE103 NPN para el conductor de salida de poder, corriente continua del colector 0.15A, voltaje de la base del colector 25V es EE. UU..