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TAODAN 10 transistores IRF3205 MOSFET componentes electrónicos 110A 55V N-Channel Power MOSFET TO-220AB disponible en Yaxa Colombia -15%

TAODAN 10 transistores IRF3205 MOSFET componentes electrónicos 110A 55V N-Channel Power MOSFET TO-220AB

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Precio y disponibilidad de TAODAN 10 transistores IRF3205 MOSFET componentes electrónicos 110A 55V N-Channel Power MOSFET TO-220AB

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El MOSFET RF3205 es un transistor de efecto de campo que se puede utilizar en una amplia gama de circuitos analógicos y digitales. Parámetros básicos: El IRF3205 está disponible en un paquete TO-220AB. Resistencia en resistencia: 0.008 ohmios. Voltaje Vgs Max: +-20 V. Número de pines: 3 Temperatura de funcionamiento: -55 a +347.0 °F; unión de resistencia térmica de la caja A: 34.3 °F/W Voltaje Vds típico: 55 V. ID de corriente continua: pulso IDM de corriente de 110 A: 390 A. Dispositivos de montaje en superficie: montaje de agujero pasante.

Beneficios clave de TAODAN 10 transistores IRF3205 MOSFET componentes electrónicos 110A 55V N-Channel Power MOSFET TO-220AB

  • Polaridad del transistor: canal N.
  • Corriente de drenaje (Id Max): 110 A.
  • Voltaje Vds máx.: 55 V.
  • Potencia (máx.): 200 W.
  • BOJACK IRF3205 MOSFET es un transistor de efecto de campo que se puede utilizar ampliamente en circuitos analógicos y circuitos digitales.

Ficha técnica

Fabricante
TAODAN
Dimensiones
4.8 x 2.87 x 0.35 pulgadas
SKU
B0BNPZFJXR
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Descripción detallada de TAODAN 10 transistores IRF3205 MOSFET componentes electrónicos 110A 55V N-Channel Power MOSFET TO-220AB

El MOSFET RF3205 es un transistor de efecto de campo que se puede utilizar en una amplia gama de circuitos analógicos y digitales. Parámetros básicos: El IRF3205 está disponible en un paquete TO-220AB. Resistencia en resistencia: 0.008 ohmios. Voltaje Vgs Max: +-20 V. Número de pines: 3 Temperatura de funcionamiento: -55 a +347.0 °F; unión de resistencia térmica de la caja A: 34.3 °F/W Voltaje Vds típico: 55 V. ID de corriente continua: pulso IDM de corriente de 110 A: 390 A. Dispositivos de montaje en superficie: montaje de agujero pasante.

Características destacadas

  • Polaridad del transistor: canal N.
  • Corriente de drenaje (Id Max): 110 A.
  • Voltaje Vds máx.: 55 V.
  • Potencia (máx.): 200 W.
  • BOJACK IRF3205 MOSFET es un transistor de efecto de campo que se puede utilizar ampliamente en circuitos analógicos y circuitos digitales.

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