XY-GMOS alta potencia MOS tubo FET interruptor de gatillo módulo controlador PWM acondicionado interruptor electrónico tablero de control DC 4V-60V

Este módulo admite disparo de alto nivel, disparo de bajo nivel, control de conmutación y control PWM; Se utiliza la salida activa paralela dual MOS importada original, con menor resistencia interna, mayor corriente y potencia fuerte. Es 10A y 600W a temperatura ambiente, cumpliendo con el uso de la mayoría de los equipos; Soporte ultra amplio voltaje: DC 4V ~ 60V; Lograr fácilmente el control de dispositivos de alta potencia. Rango de voltaje de disparo de bajo nivel: DC 0V-0.6V, señal de disparo a 0V-0.6V, transistor MOS está encendido; por encima de 3.0V, transistor MOS está apagado; voltaje de señal no puede ser 0.6V-3.0V, porque el tubo MOS no está completo Circuito abierto, salida de alta potencia dañará MOS. Rango de voltaje de disparo de alto nivel: DC3.0V ~ 24V, es decir, cuando la señal es 3.0V ~ 24V, el transistor MOS está encendido; Si es inferior a 0.6V, es decir, 0V ~ 0.6V, el tubo MOS está apagado, y el voltaje de señal no debe estar entre 0.6V y 3.0V. De esta manera, el MOS está en un estado abierto incompleto, y el MOS se quema durante el uso de alta potencia;

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